[청년투데이=나광국 기자] D램 시장이 내년도 슈퍼 사이클에 진입할 것이란 예상이 나오는 가운데, 세계 최초로  극자외선(EUV) 공정을 도입한 차세대 D램이 출시를 예고하면서 이목이 집중되고 있다. 

기존 EUV 기술은 시스템 반도체 공정에 활용하였지만, 메모리 반도체까지 확대 적용되면서 D램 생산성 향상 경쟁은 물론 EUV 노광 장비 확보 전쟁도 가속화 할 것이라는 예측도 나오고 있다.

또한 삼성전자는 지난 8월 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인을 가동했으며,이 라인에서는 첫 EUV 공정을 적용한 LPDDR5 모바일 D램이 생산되고 있다.

이러한 생산 기조에 맞춰 내년부터 세계 D램 생산 1, 2위를 점유하고 있는 삼성전자와 SK하이닉스가 EUV 노광장비로 생산한 차세대 D램 공급을 본격화한다는 전문가들의 지적이 나오고 있다.

반도체 전문가들에 따르면 EUV 공정은 반도체 포토 공정에서 극자외선 파장의 광원을 사용하는 것으로, 기존 불화아르곤(ArF)의 광원보다 파장의 길이가 짧아(10분의 1 미만) 반도체에 미세 회로 패턴을 구현할 때 유리하고 성능과 생산성도 높일 수 있다.

또한 EUV 장비는 대당 가격이 1천500억∼2천억원으로 높아 첨단 미세공정 싸움이 치열한 시스템 반도체 제작에만 사용됐고 메모리 반도체에는 적용하지 않았던 장비였다.

하지만 고성능 D램 생산을 위해서는 칩 크기를 줄여 집적도를 높여야 하기에, EUV 기술 도입을 추진해야한다는 목소리가 커져갔다.

이러한 목소리에 제일 먼저 반응 한 곳은 삼성전자였다.

삼성전자는 EUV 미세 공정 기술력을 메모리 반도체까지 확대해 '초격차'를 이어간다는 전략을 내세우고 있으며, 지난 3월 1세대 10나노급(1x) DDR4에 EUV 공정을 시범 적용해 고객 평가까지 마친 바 있다.

이러한 삼성전자의 행보에 걸맞게 내년 하반기 부터 본격적인 생산에 들어갈 것이라고 전문가들은 입모아 이야기 했다.

특히 이번에 새로 출시된 D램은 기존 제품보다 속도가 1.8배가량 빠른 4세대 10나노급(1a)으로 EUV 장비를 쓰면 기존 DDR4(1x)보다 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배로 높일 수 있다는 것이 특징이다.

 SK하이닉스 역시 경기도 이천 캠퍼스에 EUV 장비 도입을 진행 중이다.

하지만 EUV 장비 등의 사용 경험이 부족한 SK하이닉스 측은 소수의 장비로 EUV장비를 도입해  내년 하반기때부터 4세대 10나노급(1a) DDR5부터 EUV 기술을 도입할 것으로 알려졌다. ,

이러한 삼성전자와 SK하이닉스와는 달리  미국의 마이크론은 삼성과 하이닉스와 달리 아직 구체적인 EUV 장비 도입 계획을 공개하진 않고 있지만 다시 조만간 공개한다는것이 전문가들의 추측이다.

하지만 EUV 장비 도입을 진행할 시 생산의 한계점에 부딛치게 된다.

현재 EUV 장비는 네덜란드의 반도체 장비 생산 기업인 ASML이 독점하고 있다.